Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (2)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Gomeniuk Yu$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
1.

Gomeniuk Yu. Y. 
Electrical Properties of High-k Oxide in Pd/Al2O3/InGaAs Stack [Електронний ресурс] / Yu. Y. Gomeniuk, A. N. Nazarov, S. Monaghan, K. Cherkaoui, E. O’Connor, I. Povey, V. Djara, P. K. Hurley // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2012. - Vol. 1, no. 3. - С. 03TF16-03TF16. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2012_1_3_18
Попередній перегляд:   Завантажити - 384.112 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Gomeniuk Yu. V. 
Determination of interface state density in high-k dielectric-silicon system from conductance-frequency measurements [Електронний ресурс] / Yu. V. Gomeniuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 1. - С. 1-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_1_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 175.403 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Tiagulskyi S. I. 
Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide [Електронний ресурс] / S. I. Tiagulskyi, A. N. Nazarov, S. O. Gordienko, A. V. Vasin, A. V. Rusavsky, T. M. Nazarova, Yu. V. Gomeniuk, V. S. Lysenko, L. Rebohle, M. Voelskow, W. Skorupa, Y. Koshka // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 1. - С. 34-40. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_1_9
An electroluminescent device utilizing a heterostructure of amorphous terbium doped carbon-rich SiOx (a-SiOx:C:Tb) on silicon has been developed. The a-SiOx:C:Tb active layer was formed by RF magnetron sputtering of a-SiO1-x:Cx:H(:Tb) film followed by high-temperature oxidation. It was shown that, depending on the polarity of the applied voltage, the electroluminescence is either green or white, which can be attributed to different mechanisms of current transport through the oxide film - space charge limited bipolar double injection current for green electroluminescence and trap assisted tunneling or Fowler-Nordheim tunneling for white electroluminescence.
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.357 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Lysenko V. S. 
Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces [Електронний ресурс] / V. S. Lysenko, S. V. Kondratenko, Yu. N. Kozyrev, M. Yu. Rubezhanska, V. P. Kladko, Yu. V. Gomeniuk, O. Y. Gudymenko, Ye. Ye. Melnichuk, G. Grenet, N. B. Blanchard // Ukrainian journal of physics. - 2012. - Vol. 57, № 11. - С. 1132-1140. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2012_57_11_7
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.377 Mb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського